我們的優(yōu)勢

高分辨率

MEMS微加工工藝，使電化學芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜厚度最薄可達10nm，極大減少了對電子束的干擾，液相環(huán)境可達到納米級分辨率。

高安全性

1．市面常見的其他品牌液體樣品桿，由于受自身液體池芯片設計方案制約，只能通過液體泵產生的巨大壓力推動大流量液體流經樣品臺及芯片外圍區(qū)域，有液體大量泄露的安全隱患。其液體主要靠擴散效應進入芯片中間的納米孔道，芯片觀察窗里并無真實流量流速控制。

2．采用納流控技術，通過壓電微控系統(tǒng)進行流體微分控制，實現納升級微量流體輸送，原位納流控系統(tǒng)及樣品桿中冗余的液體量僅有微升級別，有效保證電鏡安全。

3．采用高分子膜面接觸密封技術，相比于o圈密封，增大了密封接觸面積，有效減小滲漏風險。

4．采用超高溫鍍膜技術，芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜具有耐高溫低應力耐壓耐腐蝕耐輻照等優(yōu)點。

多場耦合技術

可在液相環(huán)境中實現光、電、熱、流體多場耦合。

智能化軟件和自動化設備

1．人機分離，軟件遠程控制實驗條件，全程自動記錄實驗細節(jié)數據，便于總結與回顧。

2．全流程配備精密自動化設備，協(xié)助人工操作，提高實驗效率。

團隊優(yōu)勢

1．團隊帶頭人在原位液相發(fā)展初期即參與研發(fā)并完善該方法。

2．獨立設計原位芯片，掌握芯片核心工藝，擁有多項芯片patent。

3．團隊20余人從事原位液相研究，可提供多個研究方向的原位實驗技術支持。

技術參數

應用案例

Electrochemical dissolution

Electrochemical deposition